MLX91299是一款专为碳化硅（SiC）功率模块设计的集成式硅基阻容缓冲器。该器件可有效抑制电压尖峰与振荡，显著提升系统可靠性、工作效率及开关频率。其可配置的R/C参数设计，能够实现精准的浪涌参数控制。
主要优势
- 一体式高压硅基RC缓冲器件
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优化功率模块系统集成度
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缩减电路设计面积
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与功率开关器件/芯片协同简化安装流程
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背面金属化工艺支持烧结与焊接工艺
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高效的散热性能 （极低的芯片至散热器热阻）
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浪涌电压抑制能力
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减少电气连接点数量，提升系统可靠性
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适用于高达1000Vdc直流母线系统
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实现更高开关频率与能效
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成本优化
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减少器件数量，免除超低电感设计需求
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全集成化设计
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提升电磁兼容性能
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- 提供裸片及晶圆级封装选项
- 工作温度范围：-40°C至150°C（最高结温175°C）
产品介绍
预发布
MLX91299是一款集成式硅基裸芯片，其等效电路采用电阻-电容（RC）串联结构。当集成于多种拓扑结构的功率半导体器件中时，该设计可有效旁路换流回路中的寄生电感。RC网络电路在充放电的工作过程中，能够有效抑制意外振荡、消除电压过冲并优化功率损耗特性。
这种集成方案显著提升了电力电子系统的运行安全性、可靠性和能效水平。
应用示例
- 汽车
- 牵引逆变器
- 车载充电器
- 车载DC-DC转换器
- 工业
- 太阳能逆变器
- 储能系统（ESS）
- 工业电源
特性和优势
- 一体式高压硅基RC缓冲器件
-
优化功率模块系统集成度
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缩减电路设计面积
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与功率开关器件/芯片协同简化安装流程
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背面金属化工艺支持烧结与焊接工艺
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高效的散热性能 （极低的芯片至散热器热阻）
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浪涌电压抑制能力
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减少电气连接点数量，提升系统可靠性
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适用于高达1000Vdc直流母线系统
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实现更高开关频率与能效
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成本优化
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减少器件数量，免除超低电感设计需求
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全集成化设计
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提升电磁兼容性能
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- 提供裸片及晶圆级封装选项
- 工作温度范围：-40°C至150°C（最高结温175°C）
